Micron a lancé la production de DRAM 1α (1-alpha) dans son usine de Manassas, en Virginie. Cette initiative marque la première introduction de la technologie DDR4 la plus avancée de l’entreprise sur le sol américain.
L’investissement dépasse les 2 milliards de dollars, soutenu par un fonds de 275 millions de dollars du CHIPS and Science Act. L’objectif est de quadrupler la capacité de production des plaques DDR4 d’ici la fin de l’année.
Réduction inattendue de l’offre DDR4 : enjeux et réponses
En tant que seul fabricant de mémoire aux États-Unis, Micron dessert particulièrement les secteurs automobile, défense, aérospatial et industriel depuis son site de Manassas. Tandis que d’autres fabricants se tournent vers des technologies comme DDR5 et HBM, l’offre en DDR4 se réduit.
L’utilisation des mémoires DDR4 arrivant à son terme, les industries avec des cycles produits longs sont menacées. Selon S&P Global Mobility, les prix des contrats DRAM pour l’automobile pourraient augmenter entre 70 % et 100 % en 2026 par rapport à 2025.
Avancées technologiques et perspectives industrielles
Le processus 1α offre une densité de bits environ 40 % supérieure au nœud précédent 1z, se distinguant comme la première technologie DRAM atteignant des tailles cellulaires inférieures à 15 nm. Micron privilégie la lithographie DUV plutôt que les outils EUV plus coûteux pour ce procédé.
L’usine en Virginie fait partie du vaste plan d’investissement américain de 200 milliards de dollars de Micron. Les fondations d’un nouveau complexe de production à New York sont posées, tandis qu’une nouvelle usine dans l’Idaho devrait entrer en production à mi-2027.
Afin d’ajouter des capacités avancées d’emballage HBM sur le site en Virginie, Micron attend que suffisamment de capacité DRAM soit assurée dans ses autres installations américaines. Ces investissements devraient créer au total 90 000 emplois directs et indirects.
Pensez-vous que cette initiative suffira à réduire la dépendance aux anciennes technologies de mémoire ?
